■ 免维护无须补液

       ■ 适应环境温度广

       ■ 使用寿命长

       ■ 安全防爆

       ■ 无游离电解液,

       ■ 侧倒90度仍可使用

       ■ 内阻小,大电流放电特性好

       ■ 自放电小

       ■ 荷电出厂，使用方便

       ■ 独特配方， 深放电恢复性能好

蓄电池6-FM-65  12V65AH应用领域：

       ■ 警报系统

       ■ 应急照明系统

       ■ 电子仪器

       ■ 铁路、船舶

       ■ 邮电通信

       ■ 电子系统

       ■ 太阳能、风能发电系统

       ■ 大型UPS及计算机备用电源.

       ■ 消防备用电源

       ■ 峰值负载补偿储能装置

　高能隙(Eg)资料钝化太阳能电池的光接纳外表的办法以及所得的太阳能电池。在一个例子中，太阳能电池包括具有光接纳外表的基板。在所述基板的所述光接纳外表上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有III族氮化物资料层。在另一个例子中，太阳能电池包括具有光接纳外表的基板。在所述基板的所述光接纳外表上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有大的直接带隙资料层，所述大的直接带隙资料层具有至少约3.3的能隙(Eg)。在所述大的直接带隙资料层上设置有抗反射涂覆(ARC)层，所述ARC层包含不同于所述大的直接带隙资料层的资料。

　　技术引见

　　光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的安装。普通来讲，运用半导体加工技术在基板的外表左近构成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。映照在基板外表上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中构成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区衔接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电才能有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的本钱效益有关。因而，进步太阳能电池效率的技术或进步制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本专利技术的一些施行例经过提供制造太阳能电池构造的新工艺而可以取得进步的太阳能电池制造效率。本专利技术的一些施行例经过提供新型太阳能电池构造可以取得进步的太阳能电池效率，并经过消弭常见的退化形式可以取得更高的稳定性。

　　包括：具有光接纳外表的基板；设置在所述基板的所述光接纳外表上的钝化介电层；和设置在所述钝化介电层上方的III族氮化物资料层。2.依据权益请求1所述的太阳能电池，还包括：直接设置在所述钝化介电层和所述III族氮化物资料层之间的界面层，所述界面层包含不同于所述钝化介电层且不同于所述III族氮化物资料层的资料。3.依据权益请求2所述的太阳能电池，其中所述界面层是富含硅的非晶硅层，并且具有大约在30埃至50埃范围内的厚度。4.依据权益请求2所述的太阳能电池，其中所述界面层是不含氧的硅基层，所述层选自富含硅的非晶硅、固有或磷掺杂的非晶硅、和多晶硅，并且其中所述硅基层具有大约在10埃至200埃范围内的厚度。5.依据权益请求1所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层设置在所述钝化介电层上。6.依据权益请求1所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层选自氮化铝(AlN)层、氮化铝镓(AlxGa1-xN，其中0<x<1)层和氮化镓(GaN)层。7.依据权益请求1所述的太阳能电池，还包括：设置在所述III族氮化物资料层上的抗反射涂覆(ARC)层，所述ARC层包含不同于所述III族氮化物资料层的资料。8.依据权益请求7所述的太阳能电池，其中所述ARC层是选自氧化铝(AlOx，x等于或小于1.5)层和氮氧化硅(SiOyNz，y>0，z>0)层的层，并且其中所述ARC层和所述III族氮化物资料层共同构成所述太阳能电池的双层抗反射涂层。9.依据权益请求8所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层具有大约在50埃至900埃范围内的厚度并具有大约2.0-2.4的折射率，并且其中所述ARC层具有大约在300埃至1500埃范围内的厚度并具有大约1.8的折射率。10.依据权益请求9所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层和所述ARC层共同为所述太阳能电池提供电流加强和稳定性。11.依据权益请求7所述的太阳能电池，其中所述ARC层是氢化氮化硅(SiN:H)层。12.依据权益请求11所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层具有大约在30埃至100埃范围内的厚度并具有大约2.0-2.4的折射率，并且其中所述SiN:H层具有大约700埃的厚度并具有大于约1.9的折射率。13.依据权益请求12所述的太阳能电池，其中所述III族氮化物资料层和所述ARC层共同为所述太阳能电池提供稳定性，而所述高带Eg资料提供钝化而对发光光谱无吸收。14.依据权益请求1所述的太阳能电池，其中所述基板是晶体硅基板，且所述钝化介电层是二氧化硅(SiO2)层并具有大约在10埃至300埃范围内的厚度。15.依据权益请求1所述的太阳能电池，其中所述光接纳外表具有纹理化形貌，并且其中所述钝化介电层和所述III族氮化物资料层都与所述光接纳外表的所述纹理化形貌适形。16.依据权益请求1所述的太阳能电池，其中所述基板还包括与所述光接纳外表相对的背外表，所述太阳能电池还包括：在所述基板的所述背外表上或上方的多个交替的N型和P型半导体区；和与所述多个交替的N型和P型半导体区电衔接的导电触头构造。